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Risultati 1 - 10 su circa 18 per  Wikipedia / Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica a rf / Wikipedia    (10867 articoli)

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica a rf print that page

Circuito_di_scarica_hf

In genere i processi di scarica a plasma sono ottenuti sempre da alimentazione ad alta frequenza, di solito nel range del MHz. Mentre per frequenze inferiori alla frequenza di plasma degli ioni (centinaia di kHz) non vi è differenza tra anodo o catodo poiché essi si alternano con l’alternarsi

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica nei gas print that page

GlowDischargeVoltAmpere

La caratteristica corrente tensione come appare dalla figura sopra, ottenuta effettuando la scarica con un gas nobile: il Neon ad una pressione di 1.2 mbar. Il comportamento viene convenzionalmente diviso in tre zone, la scarica oscura, la scarica a bagliore e l'arco. Scarica oscura

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Dry Etching print that page

Il dry etching è sinonimo di attacco chimico assistito da plasma , un'espressione che denota diverse tecniche in cui si usano plasmi sottoforma di scariche a basse pressioni. L'alta fedeltà di trasferimento del resist pattern, che queste tecniche permettono, fu messa in luce per la prima

wikibooks.org | 2015/7/9 16:18:29

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Esempi/Sensori di immagine print that page

Sensore_di_immagine

realizza un pixel [ modifica ] Un pixel non è altro che una giunzione p-n la cui capacità si scarica in base al numero di elettroni fotogenerati che fluiscono trascinati dal campo elettrico. Come ben sappiamo, il silicio, ha le proprietà di generare coppie elettrone/lacuna, in seguito

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Fisica del plasma print that page

Un plasma è in genere neutro in quanto le sue cariche libere positive e negative si compensano a vicenda. Ma vanno introdotte delle grandezze fisiche che determinano alcune proprietà macrocopiche: la lunghezza di Debye e la frequenza di plasma . Tali grandezze fisiche intervengono quando

wikibooks.org | 2015/7/9 16:18:49

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering print that page

Magnetrongun

sputtering 4.1 dc Sputtering 4.2 dc Sputtering Magnetron 4.3 Sputtering a radiofrequenza rf ) 4.4 Ion-beam sputtering 4.5 Sputtering reattivo 5 Note 6 Altri Progetti Uso dello sputtering [ modifica ] Lo sputtering è comunemente usato dall'industria dei semiconduttori

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali print that page

HeTube

Il grado di ionizzazione di un plasma è il rapporto tra gli ioni presenti e le molecole neutre. Alcune proprietà dei plasmi sono comuni a quelle dei gas, infatti spesso abbiamo a che fare con plasmi con grado di ionizzazione di 10 − 4   {\displaystyle 10^{-4}\ } , quindi

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il vuoto/Strumenti di misura per il vuoto print that page

Manometer_104026

La pressione è il parametro che caratterizza meglio il vuoto raggiunto da un sistema. A causa del grande intervallo di vuoti possibili strumenti di misura diversi sono usati per la sua determinazione. In linea di principio esistono due tipi di strumenti di misura. Il primo gruppo di strumenti

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Etching/Ion milling print that page

La tecnica dello ion milling si avvale delle seguenti caratteristiche : Scarica in plasma fra anodo e catodo Il campione da etchare è posto su un terzo elettrodo, disaccoppiato dal plasma Si usa gas Argon, a bassa pressione, per avere cammino libero medio lungo Un filamento produce

wikibooks.org | 2015/7/9 16:18:31

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Deposizione di film dielettrici print that page

Forno_a_pareti_riscaldate

del film deposto. Tuttavia il processo è lento. I reattori per deposizione chimica assistita da plasma ( PECVD ) hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perché possono processare solamente una fetta per volta. Il vuoto