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Risultati 1 - 10 su circa 45 per  Wikipedia / Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Impiantazione ionica / Wikipedia    (10867 articoli)

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Impiantazione ionica print that page

Sorgente_ionica

L’ impiantazione ionica consiste nell’introduzione di atomi carichi ad elevata energia in un substrato, solitamente un wafer silicio, al fine di variarne la resistività (si ottiene quindi il drogaggio del silicio). L’uso delle tecniche di impiantazione ionica su semiconduttori

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Film sottili/Sputtering print that page

Magnetrongun

elevata (qualche keV) le particelle bombardanti penetrano in profondità e il processo diviene la impiantazione ionica . Se invece l'energia è minore di 5 eV gli atomi rimbalzano sulla superfice o rimangono sulla superficie e poi lentamente, specialmente se sono atomidi gas nobili, vengono

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Introduzione alla microtecnologia/Concetti di base print that page

Gli obiettivi della micro (e nano) fabbricazione sono quelli di miniaturizzare le dimensioni di circuiti e dispositivi elettronici, compattare le varie funzioni e realizzare in modo semplice e poco costoso molte repliche identiche. Gli ingredienti a disposizione sono: per i materiali, si

wikibooks.org | 2015/7/9 16:19:04

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Diffusione print that page

Predeposizione

La diffusione termica rappresenta da sempre la più comune tecnica di drogaggio selettivo del silicio, prima dell’avvento dell’ impiantazione ionica . Tuttora tale tecnica è utilizzata in alcuni processi. Il metodo di diffusione consiste nel porre gli atomi di drogante sulla superficie

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il vuoto/Pompe da vuoto print that page

Bomba_diafragma

Una pompa da vuoto è un meccanismo attivo che aspira del gas a bassa pressione e nella maggior parte dei casi lo comprime ad una pressione maggiore espellendollo dalla sua uscita. In genere le pompe da vuoto hanno una velocità di apirazione costante in un certo intervallo di valori e tale

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Crescita dei cristalli print that page

Processo_Si

Qui viene concentrata l'attenzione sui cristalli più utilizzati nei processi tecnologici: i cristalli di Silicio e sulla loro trasformazione in wafer . Il silicio rappresenta uno degli elementi più presenti sulla terra (25.7\% sulla crosta terrestre). Il silicio in natura si trova principalmente

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Processi successivi/Ossidazione print that page

Strati_di_ossido_di_silicio_ottenuti_per_ossidazione_termica

L' ossidazione è un processo indispensabile nella realizzazione dei circuiti integrati, infatti gli ossidi svolgono il fondamentale ruolo di isolanti (separano le diverse regioni attive dei dispositivi) o di passivanti (proteggono i dispositivi da fattori esterni come impurità, umidità

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Tecniche litografiche/Litografia ottica print that page

Step_Fotolitografia

positivo la fetta ( wafer ) può continuare i processi successivi che potrebbe essere quello di impiantazione ionica , attacco, diffusione eccetera; a volte se il processo litografico viene giudicato non adeguato , dopo l'eliminazione del resist, il processo può essere ricominciato dall'inizio

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica nei gas print that page

GlowDischargeVoltAmpere

Le scariche gassose in un tubo rettilineo (in vetro o quarzo) furono le prime ad essere studiate, alla fine del 1800: esse erano note come tubi di Crookes o tubi di Geissler . Lo schema dell'apparato consisteva un tubo rettilineo sotto vuoto (tra 1 mbar e 0.01 mbar possibile anche nell'ottocento

Micro e nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Fisica del plasma print that page

espressione della densità di carica locale come: Notiamo come si sia considerato la distribuizione ionica imperturbata, a causa della molto minore temeperatura degli ioni, e quindi la loro agitazione termica è trascurabile. Inserendo tale espressione nella equazione di Poisson scritta

wikibooks.org | 2015/7/9 16:18:49